창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1404BDH-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1404BDH | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.9A(Ta), 2.37A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 238m옴 @ 1.9A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.28W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6(SOT-363) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1404BDH-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1404BDH, SI1404BDH-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
NJM6433FG1 | NJM6433FG1 JRC SMD or Through Hole | NJM6433FG1.pdf | ||
MC1230 | MC1230 LAMBDA ACDC | MC1230.pdf | ||
MC7457 | MC7457 ORIGINAL BGA | MC7457.pdf | ||
TDA8356/N6A | TDA8356/N6A PH SIP9 | TDA8356/N6A.pdf | ||
LS018A8GB06S | LS018A8GB06S SHARP SMD or Through Hole | LS018A8GB06S.pdf | ||
BTA10-600ARG | BTA10-600ARG ST TO-220 | BTA10-600ARG.pdf | ||
MPZ1608S601ATA000 | MPZ1608S601ATA000 TDK 0603-601 | MPZ1608S601ATA000.pdf | ||
2330D1 | 2330D1 ORIGINAL NEW | 2330D1.pdf | ||
ADG432G | ADG432G AD SMD or Through Hole | ADG432G.pdf | ||
CS321613-LAB1 | CS321613-LAB1 BOURNS SMD or Through Hole | CS321613-LAB1.pdf | ||
49MC476D016K0ASFT | 49MC476D016K0ASFT CENTRALAB SMD or Through Hole | 49MC476D016K0ASFT.pdf | ||
D4370190- | D4370190- NEC BGA | D4370190-.pdf |