창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1403BDL-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1403BDL | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 568mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6(SOT-363) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1403BDL-T1-E3TR SI1403BDLT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1403BDL-T1-E3 | |
관련 링크 | SI1403BDL, SI1403BDL-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | ERJ-PA3D1272V | RES SMD 12.7K OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D1272V.pdf | |
![]() | RG1608V-4531-W-T1 | RES SMD 4.53K OHM 1/10W 0603 | RG1608V-4531-W-T1.pdf | |
![]() | RNF14FTC26K7 | RES 26.7K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC26K7.pdf | |
![]() | CPR101R800KF10 | RES 1.8 OHM 10W 10% RADIAL | CPR101R800KF10.pdf | |
![]() | MTD9N10ET | MTD9N10ET ON SMD or Through Hole | MTD9N10ET.pdf | |
![]() | TM4811A-C2 | TM4811A-C2 DSP QFP | TM4811A-C2.pdf | |
![]() | SCDR105B-820L-N | SCDR105B-820L-N CHILISIN SMD | SCDR105B-820L-N.pdf | |
![]() | 78C05SRAT | 78C05SRAT GRAYHILL SMD or Through Hole | 78C05SRAT.pdf | |
![]() | NP05DZB470M | NP05DZB470M ORIGINAL SMD or Through Hole | NP05DZB470M.pdf | |
![]() | TSX705 | TSX705 TI DIP-40 | TSX705.pdf |