창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1400DL-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1400DL | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 1.7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 600mV @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 568mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6(SOT-363) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1400DL-T1-E3TR SI1400DLT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1400DL-T1-E3 | |
관련 링크 | SI1400DL, SI1400DL-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | GL180F33IET | 18MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL180F33IET.pdf | |
![]() | HSA510KJ | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 10W | HSA510KJ.pdf | |
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![]() | 31N05 | 31N05 SIEMENS SOT-252 | 31N05.pdf | |
![]() | TA31132F-ER | TA31132F-ER TOS SOP | TA31132F-ER.pdf | |
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![]() | SPAK56F8356FV60 | SPAK56F8356FV60 Freescale LQFP | SPAK56F8356FV60.pdf | |
![]() | LMC567CN NOPB | LMC567CN NOPB NSC SMD or Through Hole | LMC567CN NOPB.pdf | |
![]() | FLE-120-01-G-DV-A | FLE-120-01-G-DV-A SAMTECINC SMD or Through Hole | FLE-120-01-G-DV-A.pdf | |
![]() | CIM10J102NE | CIM10J102NE SAMSUNG SMD | CIM10J102NE.pdf |