창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1317DL-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1317DL-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 1.4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 272pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1317DL-T1-GE3-ND SI1317DL-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1317DL-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1317DL-, SI1317DL-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C1608X7R1C224M080AC | 0.22µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X7R1C224M080AC.pdf | ||
SI4740-C10-GM | - RF Receiver AM, FM, SW-LW 153kHz ~ 279kHz, 520kHz ~ 1.71MHz, 2.3MHz ~ 26.1MHz, 64MHz ~ 108MHz PCB, Surface Mount 24-QFN (4x4) | SI4740-C10-GM.pdf | ||
47CAG | 47CAG EPCOS TSSOP-10 | 47CAG.pdf | ||
WK1022W | WK1022W ORIGINAL SMD or Through Hole | WK1022W.pdf | ||
SMAJ90-E3/61 | SMAJ90-E3/61 VISHAY SMA | SMAJ90-E3/61.pdf | ||
N208G.13 | N208G.13 ORIGINAL SOJ40 | N208G.13.pdf | ||
DFL1508S | DFL1508S VISHAY SOP4 | DFL1508S.pdf | ||
ISL8540IVEZ | ISL8540IVEZ INTERSIL SMD or Through Hole | ISL8540IVEZ.pdf | ||
SA572F | SA572F S CDIP16 | SA572F.pdf | ||
FQPF39N20 | FQPF39N20 FSC TO-220F | FQPF39N20.pdf | ||
MCP4351T-503E/ST | MCP4351T-503E/ST Microchip SMD or Through Hole | MCP4351T-503E/ST.pdf | ||
AL8M-M11G | AL8M-M11G ORIGINAL SMD or Through Hole | AL8M-M11G.pdf |