창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1308EDL-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1308EDL | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 132m옴 @ 1.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 105pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1308EDL-T1-GE3-ND SI1308EDL-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1308EDL-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1308EDL, SI1308EDL-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | A223K15X7RH5UAA | 0.022µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A223K15X7RH5UAA.pdf | |
![]() | 313-088-02 | 313-088-02 AMI PLCC-32 | 313-088-02.pdf | |
![]() | C9827HT | C9827HT IMI TSSOP | C9827HT.pdf | |
![]() | T491A336K006ATE | T491A336K006ATE KEMET A | T491A336K006ATE.pdf | |
![]() | TSB43AA82 | TSB43AA82 TI BGA | TSB43AA82.pdf | |
![]() | OSSRA0012A | OSSRA0012A TTElectronics/OptekTechnology RELAYSSRDUOTRIAC4 | OSSRA0012A.pdf | |
![]() | LMSZ24ET1G | LMSZ24ET1G LRC SOD-123 | LMSZ24ET1G.pdf | |
![]() | KM16-02F | KM16-02F ORIGINAL SOP20 | KM16-02F.pdf | |
![]() | LSB125-331MT | LSB125-331MT ORIGINAL SMD or Through Hole | LSB125-331MT.pdf | |
![]() | ZR36440GGCF | ZR36440GGCF SAMSUNG BGA | ZR36440GGCF.pdf | |
![]() | 53-0038 | 53-0038 CEN TO-39 | 53-0038.pdf | |
![]() | K1V12-4061 | K1V12-4061 Shindengen N A | K1V12-4061.pdf |