창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI1302DL-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI1302DL | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 600mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 280mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI1302DL-T1-E3TR SI1302DLT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI1302DL-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI1302DL, SI1302DL-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ28CA-M3/52 | TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO-215AA | SMBJ28CA-M3/52.pdf | |
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![]() | FHW0603UC010GT | FHW0603UC010GT ORIGINAL 0603- | FHW0603UC010GT.pdf | |
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![]() | VB1985B | VB1985B AGERE TQFP | VB1985B.pdf | |
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![]() | ICX672+CXD4127+CXD4816 | ICX672+CXD4127+CXD4816 SONY SMD or Through Hole | ICX672+CXD4127+CXD4816.pdf | |
![]() | ECJ1VBOJ684K | ECJ1VBOJ684K ORIGINAL SMD or Through Hole | ECJ1VBOJ684K.pdf | |
![]() | 58R451 | 58R451 WW SMD or Through Hole | 58R451.pdf | |
![]() | TC55RP3302EMB | TC55RP3302EMB ORIGINAL Sot-89 | TC55RP3302EMB.pdf |