창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1050X-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1050X | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.34A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 86m옴 @ 1.34A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.6nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 585pF @ 4V | |
전력 - 최대 | 236mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SC-89-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1050X-T1-GE3TR SI1050XT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1050X-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1050X-, SI1050X-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | HY27US08561A/B | HY27US08561A/B HYNIX TSOP48 | HY27US08561A/B.pdf | |
![]() | 0603LS-561XJLC | 0603LS-561XJLC ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603LS-561XJLC.pdf | |
![]() | V59C1G01168QBJ25 | V59C1G01168QBJ25 ORIGINAL FBGA84 | V59C1G01168QBJ25.pdf | |
![]() | MBL82204-6 | MBL82204-6 FUJ DIP-18 | MBL82204-6.pdf | |
![]() | 6615.19.AC | 6615.19.AC HUBERSUHNER SMA | 6615.19.AC.pdf | |
![]() | HHP0312-0401 | HHP0312-0401 SMK SMD or Through Hole | HHP0312-0401.pdf | |
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![]() | SAD-5.0 | SAD-5.0 ORIGINAL SMD or Through Hole | SAD-5.0.pdf | |
![]() | MCR25JZHF2372 | MCR25JZHF2372 ROHM SMD | MCR25JZHF2372.pdf | |
![]() | MTPS85404 | MTPS85404 MURR null | MTPS85404.pdf | |
![]() | NT5CB512M8BN-CG | NT5CB512M8BN-CG NANYA SMD or Through Hole | NT5CB512M8BN-CG.pdf |