창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1032X-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si1032R,X | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 200mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.75nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-89, SOT-490 | |
공급 장치 패키지 | SC-89-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1032X-T1-GE3TR SI1032XT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1032X-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1032X-, SI1032X-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TZMC1V0-GS18 | DIODE ZENER 1V 500MW SOD80 | TZMC1V0-GS18.pdf | |
![]() | MLP2520K1R0MT0S1 | 1µH Shielded Multilayer Inductor 2.3A 62.4 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | MLP2520K1R0MT0S1.pdf | |
![]() | B39202B7956P810 | B39202B7956P810 EPCOS SMD or Through Hole | B39202B7956P810.pdf | |
![]() | CSM11086AN | CSM11086AN TI DIP-16P | CSM11086AN.pdf | |
![]() | M430F1121AIDW | M430F1121AIDW TI SOP20 | M430F1121AIDW.pdf | |
![]() | 29151T5 | 29151T5 ORIGINAL TO-263-5 | 29151T5.pdf | |
![]() | HLMP-1301-GH000(H) | HLMP-1301-GH000(H) AGILENT SMD or Through Hole | HLMP-1301-GH000(H).pdf | |
![]() | 2SB1203/D1803 | 2SB1203/D1803 SANYO TO-251252 | 2SB1203/D1803.pdf | |
![]() | CSD3059AR | CSD3059AR ORIGINAL SMD or Through Hole | CSD3059AR.pdf | |
![]() | 7062-6 | 7062-6 ORIGINAL SMD or Through Hole | 7062-6.pdf | |
![]() | 3505-8110 | 3505-8110 M SMD or Through Hole | 3505-8110.pdf |