창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1023X-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si1023X | |
카탈로그 페이지 | 1661 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 370mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 350mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 450mV @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SC-89-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1023X-T1-GE3TR SI1023XT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1023X-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1023X-, SI1023X-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SMA5J8.0AHE3/5A | TVS DIODE 8VWM 13.6VC SMA | SMA5J8.0AHE3/5A.pdf | ||
CMF5513R400FHBF | RES 13.4 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5513R400FHBF.pdf | ||
DS1023S-100+ | DS1023S-100+ MAXIM SMD or Through Hole | DS1023S-100+.pdf | ||
CS-9037 | CS-9037 ORIGINAL SMD or Through Hole | CS-9037.pdf | ||
RT9017-18PBR | RT9017-18PBR RICHTEK SMD or Through Hole | RT9017-18PBR.pdf | ||
CA45 D 100UF 4V M | CA45 D 100UF 4V M TASUND SMD or Through Hole | CA45 D 100UF 4V M.pdf | ||
AD8627AR COC | AD8627AR COC AD SMD or Through Hole | AD8627AR COC.pdf | ||
184K250B05L4 | 184K250B05L4 KEMET SMD or Through Hole | 184K250B05L4.pdf | ||
MC33172DT-ST | MC33172DT-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | MC33172DT-ST.pdf | ||
YL-224-A.24VDC.30A | YL-224-A.24VDC.30A ORIGINAL SMD or Through Hole | YL-224-A.24VDC.30A.pdf | ||
K5E1G12ACG-A076 | K5E1G12ACG-A076 SAMSUNG SMD or Through Hole | K5E1G12ACG-A076.pdf |