창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1016X-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si1016X | |
카탈로그 페이지 | 1661 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 485mA, 370mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 600mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.75nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SC-89-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1016X-T1-GE3TR SI1016XT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1016X-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1016X-, SI1016X-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
UWD1H470MCL1GS | 47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | UWD1H470MCL1GS.pdf | ||
C1808C332JBGACTU | 3300pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.185" L x 0.079" W(4.70mm x 2.00mm) | C1808C332JBGACTU.pdf | ||
GRM2165C1H180JZ01D | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2165C1H180JZ01D.pdf | ||
P1171.183NLT | 18µH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 40 mOhm Max Nonstandard | P1171.183NLT.pdf | ||
LN1121P302PR | LN1121P302PR LN SOT89-3 SOT23-3 | LN1121P302PR.pdf | ||
2SA1820 | 2SA1820 ROHM SMD or Through Hole | 2SA1820.pdf | ||
CS91415 | CS91415 ORIGINAL DIEDIP18SOP18 | CS91415.pdf | ||
500E | 500E BAOTONG SMD or Through Hole | 500E.pdf | ||
861V509ER | 861V509ER BOURMS CONN RCPT JACK F TYP | 861V509ER.pdf | ||
LATBT66B-ST-1+ST-8+PQ-1 | LATBT66B-ST-1+ST-8+PQ-1 OSRAM 1210 | LATBT66B-ST-1+ST-8+PQ-1.pdf | ||
MV8652 | MV8652 ORIGINAL BGA | MV8652.pdf | ||
FDS9933A_06 | FDS9933A_06 FAIRCHILD SOP-8 | FDS9933A_06.pdf |