창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1016CX-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1016CX-T1-GE3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 396m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 43pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 220mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SC-89-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1016CX-T1-GE3-ND SI1016CX-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1016CX-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1016CX-, SI1016CX-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | IMC0402ER6N2K01 | 6.2nH Unshielded Wirewound Inductor 760mA 83 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | IMC0402ER6N2K01.pdf | |
![]() | 6733 | 6733 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6733.pdf | |
![]() | SCDS62B-151M-S | SCDS62B-151M-S ORIGINAL SMD or Through Hole | SCDS62B-151M-S.pdf | |
![]() | 53261-1471 | 53261-1471 MOLEX SMD or Through Hole | 53261-1471.pdf | |
![]() | MCM69R818AZP7 | MCM69R818AZP7 MOTOROLA SMD or Through Hole | MCM69R818AZP7.pdf | |
![]() | TGAT1-L64. | TGAT1-L64. NEUROSKY LQFP64 | TGAT1-L64..pdf | |
![]() | TAC-L10X-A3 | TAC-L10X-A3 TAIKO SMD or Through Hole | TAC-L10X-A3.pdf | |
![]() | ZX2337 NOPB | ZX2337 NOPB ZX SOT153 | ZX2337 NOPB.pdf | |
![]() | GNM30-401X7R223M16-500 | GNM30-401X7R223M16-500 MURATA SMD or Through Hole | GNM30-401X7R223M16-500.pdf | |
![]() | JW2HN-5VDC | JW2HN-5VDC NAIS RELAY | JW2HN-5VDC.pdf | |
![]() | B929P | B929P Panasonic TO-251 | B929P.pdf | |
![]() | TPS71725DCKTG4 | TPS71725DCKTG4 TI SC70-5 | TPS71725DCKTG4.pdf |