창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1016CX-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1016CX-T1-GE3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 396m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 43pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 220mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SC-89-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1016CX-T1-GE3-ND SI1016CX-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1016CX-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1016CX-, SI1016CX-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
ATS169-E | 16.9344MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ATS169-E.pdf | ||
2500-08J | 390µH Unshielded Molded Inductor 114mA 10 Ohm Max Axial | 2500-08J.pdf | ||
PIC2ER-4R7-MTW | PIC2ER-4R7-MTW RCD SMD | PIC2ER-4R7-MTW.pdf | ||
HSM276ASR NOPB | HSM276ASR NOPB RENESAS SOT23 | HSM276ASR NOPB.pdf | ||
EDG0200EnforaEdgePCCard | EDG0200EnforaEdgePCCard Enfora SMD or Through Hole | EDG0200EnforaEdgePCCard.pdf | ||
098-2-008-0-NFX-YR1 | 098-2-008-0-NFX-YR1 MPEGARRY SMD or Through Hole | 098-2-008-0-NFX-YR1.pdf | ||
EOC63158F0B | EOC63158F0B EPSON QFP | EOC63158F0B.pdf | ||
JA6033LB3S07F | JA6033LB3S07F PROCONN SMD or Through Hole | JA6033LB3S07F.pdf | ||
HI576716CB | HI576716CB INTERSIL SOP-28L | HI576716CB.pdf | ||
SKIIP21NAB12T31 | SKIIP21NAB12T31 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKIIP21NAB12T31.pdf |