창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1013R-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si1013R,X | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 350mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 350mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 450mV @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75A | |
공급 장치 패키지 | SC-75A | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1013R-T1-GE3TR SI1013RT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1013R-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1013R-, SI1013R-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 04025U2R7BAT2A | 2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025U2R7BAT2A.pdf | |
![]() | RT1206WRB07976RL | RES SMD 976 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB07976RL.pdf | |
![]() | IPCUIC02 | IPCUIC02 ALCATEL PLCC | IPCUIC02.pdf | |
![]() | 55556-9 | 55556-9 AMP STOCK | 55556-9.pdf | |
![]() | 90331-0003 | 90331-0003 MOLEX SMD or Through Hole | 90331-0003.pdf | |
![]() | BZD23C27(2.5W27V) | BZD23C27(2.5W27V) PH SMD | BZD23C27(2.5W27V).pdf | |
![]() | MN101E046GAH | MN101E046GAH PANASONIC QFP | MN101E046GAH.pdf | |
![]() | AR7017L643 | AR7017L643 HAR SOP-24P | AR7017L643.pdf | |
![]() | 4N31.300 | 4N31.300 FAIRCHILD DIP-6 | 4N31.300.pdf | |
![]() | M17/93-RG178 | M17/93-RG178 Mini NA | M17/93-RG178.pdf | |
![]() | PMEG3010BEV,115 | PMEG3010BEV,115 NXP SMD or Through Hole | PMEG3010BEV,115.pdf | |
![]() | IX2419CEN2 | IX2419CEN2 SHARP DIP52 | IX2419CEN2.pdf |