홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이 » SHN1B01FDW1T1G

ON Semiconductor SHN1B01FDW1T1G

SHN1B01FDW1T1G
제조업체 부품 번호
SHN1B01FDW1T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
데이터 시트 다운로드
다운로드
SHN1B01FDW1T1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 94.51733
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SHN1B01FDW1T1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. SHN1B01FDW1T1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SHN1B01FDW1T1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SHN1B01FDW1T1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SHN1B01FDW1T1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SHN1B01FDW1T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서HN1B01FDW1T1
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN, PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)200mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)2µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
전력 - 최대380mW
주파수 - 트랜지션-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-74, SOT-457
공급 장치 패키지SC-74
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SHN1B01FDW1T1G
관련 링크SHN1B01F, SHN1B01FDW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
SHN1B01FDW1T1G 의 관련 제품
150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) CL10C151GB8NNNC.pdf
TRON TIME DELAY PLUG FUSE BK/TL-30.pdf
RES ARRAY 4 RES 511K OHM 1206 TC164-FR-07511KL.pdf
FLM16-5W ORIGINAL SMD or Through Hole FLM16-5W.pdf
M95256-MN3TP/A ST SO08.15JEDEC M95256-MN3TP/A.pdf
NDP7052L FSC TO-220 NDP7052L.pdf
HAT-8 ORIGINAL nlu HAT-8.pdf
PM0805H-8N2J-RC BOURNS NA PM0805H-8N2J-RC.pdf
LNI7010083 NA NA LNI7010083.pdf
L1117D-2.85V NIKO SOT223 L1117D-2.85V.pdf
MCI1812-1R0-KTQ RCD SMD MCI1812-1R0-KTQ.pdf