홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » SH8J65TB1

Rohm Semiconductor SH8J65TB1

SH8J65TB1
제조업체 부품 번호
SH8J65TB1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8
데이터 시트 다운로드
다운로드
SH8J65TB1 가격 및 조달

가능 수량

11050 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 704.24640
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SH8J65TB1 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. SH8J65TB1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SH8J65TB1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SH8J65TB1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SH8J65TB1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SH8J65TB1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SH8J65
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A
Rds On(최대) @ Id, Vgs29m옴 @ 7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs18nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1200pF @ 10V
전력 - 최대2W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOP
표준 포장 2,500
다른 이름SH8J65TB1TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SH8J65TB1
관련 링크SH8J6, SH8J65TB1 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
SH8J65TB1 의 관련 제품
130pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D131GXAAT.pdf
RES SMD 953 OHM 0.1% 1/8W 0805 TNPW0805953RBEEN.pdf
H5PS1G63JFR-S6C HYNIX BGA84 H5PS1G63JFR-S6C.pdf
ZIVA-5X LSI QFP208 ZIVA-5X.pdf
SAA7750EL-N10 PHILIPS BGA SAA7750EL-N10.pdf
SDCL1005C1N8ST/0402-1.8NH ORIGINAL SMD or Through Hole SDCL1005C1N8ST/0402-1.8NH.pdf
PW190-10G PIXELWORKS BGA PW190-10G.pdf
57008818A GRAHAMCOMPANY SMD or Through Hole 57008818A.pdf
KTA1663-Y-RTF(HY) KEC SOT89 KTA1663-Y-RTF(HY).pdf
WP-90971L8 MOTOROLA CDIP-16 WP-90971L8.pdf
C2909S ORIGINAL SMD or Through Hole C2909S.pdf