창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SH8J62TB1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SH8J62 | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 56m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SH8J62TB1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SH8J62TB1 | |
관련 링크 | SH8J6, SH8J62TB1 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 1N4750ATR | DIODE ZENER 27V 1W DO41 | 1N4750ATR.pdf | |
![]() | CW160808-6N8J | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 110 mOhm 0603 (1608 Metric) | CW160808-6N8J.pdf | |
![]() | HE2AN-SW-AC120V | General Purpose Relay DPST (2 Form A) 120VAC Coil Chassis Mount | HE2AN-SW-AC120V.pdf | |
![]() | RG1005N-620-W-T5 | RES SMD 62 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005N-620-W-T5.pdf | |
![]() | 2000035 | 2000035 ORIGINAL DIP | 2000035.pdf | |
![]() | BA030LBSG TR | BA030LBSG TR ROHM SMD or Through Hole | BA030LBSG TR.pdf | |
![]() | NAND01GW3A0AN6F | NAND01GW3A0AN6F ST SMD or Through Hole | NAND01GW3A0AN6F.pdf | |
![]() | MAX637BCSA+T | MAX637BCSA+T MAX SOP8 | MAX637BCSA+T.pdf | |
![]() | SY10E164JZ | SY10E164JZ MICREL SMD or Through Hole | SY10E164JZ.pdf | |
![]() | B4556/KB/FO | B4556/KB/FO SM SMD or Through Hole | B4556/KB/FO.pdf | |
![]() | ICM8231CFIPL | ICM8231CFIPL HARRIS DIP | ICM8231CFIPL.pdf | |
![]() | 351702K03M12 | 351702K03M12 LUMBERG SMD or Through Hole | 351702K03M12.pdf |