창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SGP02N120XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SGx02N120 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Feb/2015 Revision of Retracted Parts 06/Feb/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 6.2A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 9.6A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 2A | |
전력 - 최대 | 62W | |
스위칭 에너지 | 220µJ | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 11nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 23ns/260ns | |
테스트 조건 | 800V, 2A, 91 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SGP02N120 SGP02N120-ND SP000683106 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SGP02N120XKSA1 | |
관련 링크 | SGP02N12, SGP02N120XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
473MSR250K | 0.047µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | 473MSR250K.pdf | ||
ASTMHTFL-48.000MHZ-XK-E | 48MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-48.000MHZ-XK-E.pdf | ||
768141222GPTR13 | RES ARRAY 13 RES 2.2K OHM 14SOIC | 768141222GPTR13.pdf | ||
MR5110F5BB | MR5110F5BB CANALELECTRONIC SMD or Through Hole | MR5110F5BB.pdf | ||
ISL60002DIH325-TK | ISL60002DIH325-TK INTERSIL SOT23-3 | ISL60002DIH325-TK.pdf | ||
54F10/BEAJC | 54F10/BEAJC TI CDIP | 54F10/BEAJC.pdf | ||
M430F1491REV | M430F1491REV TI QFP-64 | M430F1491REV.pdf | ||
C1005X7R1C103KT000F | C1005X7R1C103KT000F TDK SMD | C1005X7R1C103KT000F.pdf | ||
AS-30.000.18-F-SMD-T | AS-30.000.18-F-SMD-T RALTRON SMD or Through Hole | AS-30.000.18-F-SMD-T.pdf | ||
MB86687APFVGBND | MB86687APFVGBND NA NA | MB86687APFVGBND.pdf | ||
ULN2580 | ULN2580 ORIGINAL DIP18 | ULN2580.pdf | ||
SL90E66 | SL90E66 SMSC BGA | SL90E66.pdf |