창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SGH10N60RUFDTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SGH10N60RUFD | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 16A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 30A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 10A | |
전력 - 최대 | 75W | |
스위칭 에너지 | 141µJ(켜기), 215µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 30nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 15ns/36ns | |
테스트 조건 | 300V, 10A, 20 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 60ns | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SGH10N60RUFDTU | |
관련 링크 | SGH10N60, SGH10N60RUFDTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
HUF75329D3ST | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK | HUF75329D3ST.pdf | ||
CW0058R200JE12HE | RES 8.2 OHM 6.5W 5% AXIAL | CW0058R200JE12HE.pdf | ||
C70210M0082754 | C70210M0082754 AMPHENOL SMD or Through Hole | C70210M0082754.pdf | ||
FX32G822YE130 | FX32G822YE130 HIT DIP | FX32G822YE130.pdf | ||
MAS9122ASM3 | MAS9122ASM3 MAS MSOP-8 | MAS9122ASM3.pdf | ||
CKG57NX7R2J474MT009W | CKG57NX7R2J474MT009W TDK SMD | CKG57NX7R2J474MT009W.pdf | ||
KDH8513FP | KDH8513FP KE QFP | KDH8513FP.pdf | ||
MP4303-TOS# | MP4303-TOS# TOSHIBA NA | MP4303-TOS#.pdf | ||
OC469 | OC469 ORIGINAL CAN | OC469.pdf | ||
X93256WV14I-2.7 | X93256WV14I-2.7 INTERSIL TSSOP-14P | X93256WV14I-2.7.pdf | ||
MC68HC912B52 | MC68HC912B52 MOT QFP | MC68HC912B52.pdf | ||
VE0J470MF2R | VE0J470MF2R NOVER SMD or Through Hole | VE0J470MF2R.pdf |