창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SGD02N120 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SGx02N120 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Feb/2015 Revision of Retracted Parts 06/Feb/2015 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 6.2A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 9.6A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 2A | |
전력 - 최대 | 62W | |
스위칭 에너지 | 220µJ | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 11nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 23ns/260ns | |
테스트 조건 | 800V, 2A, 91 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SGD02N120CT SGD02N120CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SGD02N120 | |
관련 링크 | SGD02, SGD02N120 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CRCW201036K5FKEF | RES SMD 36.5K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201036K5FKEF.pdf | |
![]() | CRCW1218115RFKEK | RES SMD 115 OHM 1% 1W 1218 | CRCW1218115RFKEK.pdf | |
![]() | 346.24.2315.401 | 346.24.2315.401 IMS SMD or Through Hole | 346.24.2315.401.pdf | |
![]() | SN358A | SN358A ORIGINAL SMD or Through Hole | SN358A.pdf | |
![]() | 3573-1000 | 3573-1000 M/WSI SMD or Through Hole | 3573-1000.pdf | |
![]() | LM20144MHE/NOPB | LM20144MHE/NOPB NS TSSOP | LM20144MHE/NOPB.pdf | |
![]() | RF3166- | RF3166- RFMD QFN | RF3166-.pdf | |
![]() | 1008LS-563XJBC | 1008LS-563XJBC COILCRAFT SMD | 1008LS-563XJBC.pdf | |
![]() | PIC16F73-I/SO | PIC16F73-I/SO MIC SOP28 | PIC16F73-I/SO.pdf | |
![]() | D6453CY526 | D6453CY526 NEC DIP | D6453CY526.pdf | |
![]() | AR912S47 | AR912S47 ANSALDO MODULE | AR912S47.pdf | |
![]() | BDW53C-S | BDW53C-S BOURNS SMD or Through Hole | BDW53C-S.pdf |