창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SGB15N120ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SGB15N120 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Feb/2015 Revision of Retracted Parts 06/Feb/2015 | |
PCN 설계/사양 | Imide Solder Chg 1/Sep/2008 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 30A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 52A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 15A | |
전력 - 최대 | 198W | |
스위칭 에너지 | 1.9mJ | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 130nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 18ns/580ns | |
테스트 조건 | 800V, 15A, 33 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SGB15N120 SGB15N120-ND SP000012560 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SGB15N120ATMA1 | |
관련 링크 | SGB15N12, SGB15N120ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 39D808G015JT6 | 8000µF 15V Aluminum Capacitors Axial, Can 500 Hrs @ 85°C | 39D808G015JT6.pdf | |
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![]() | LEWWS44PA | LEWWS44PA LG SMD | LEWWS44PA.pdf | |
![]() | 341CFNBJ | 341CFNBJ ORIGINAL QFN | 341CFNBJ.pdf | |
![]() | HD29050FPEL | HD29050FPEL RENESAS SOPPB | HD29050FPEL.pdf | |
![]() | VPR07S | VPR07S SANYO SMD or Through Hole | VPR07S.pdf | |
![]() | MTP3N100 | MTP3N100 ORIGINAL SMD or Through Hole | MTP3N100.pdf | |
![]() | 0513800690+ | 0513800690+ MOLEX SMD or Through Hole | 0513800690+.pdf | |
![]() | CEP6030AL,CEFF630B | CEP6030AL,CEFF630B CET SMD or Through Hole | CEP6030AL,CEFF630B.pdf | |
![]() | RTC6623 | RTC6623 RICHWAVE QFN | RTC6623.pdf | |
![]() | STW12NA50 | STW12NA50 ST SMD or Through Hole | STW12NA50.pdf |