창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SFT1350-TL-H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SFT1350 | |
PCN 조립/원산지 | Frabrication Site Change 27/Aug/2014 Wafer Fab Transfer 01/Oct/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 590pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TP-FA | |
표준 포장 | 700 | |
다른 이름 | SFT1350-TL-H-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SFT1350-TL-H | |
관련 링크 | SFT1350, SFT1350-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
1PMT5923C/TR13 | DIODE ZENER 8.2V 3W DO216AA | 1PMT5923C/TR13.pdf | ||
Y0006V0039TT0L | RES NTWRK 2 RES 10.1K OHM RADIAL | Y0006V0039TT0L.pdf | ||
G24071931007J7A000 | RES .10 OHM 5% WW | G24071931007J7A000.pdf | ||
CMF5522K100BERE | RES 22.1K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5522K100BERE.pdf | ||
Y0062400R000T0L | RES 400 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0062400R000T0L.pdf | ||
1808NPO120J/3KV | 1808NPO120J/3KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 1808NPO120J/3KV.pdf | ||
49SM5H-14.31818(14 | 49SM5H-14.31818(14 KONY CHIP | 49SM5H-14.31818(14.pdf | ||
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SIT8003AI-33-33E-16.00000 | SIT8003AI-33-33E-16.00000 SITIME SMD or Through Hole | SIT8003AI-33-33E-16.00000.pdf | ||
SM1040-331M | SM1040-331M UNITED SMD | SM1040-331M.pdf | ||
MM5314N | MM5314N NSC DIP24 | MM5314N.pdf |