창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SDE1006A-2R2M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SDE1006A Series | |
3D 모델 | SDE1006A.stp | |
PCN 조립/원산지 | Magnetic products Oct/2013 | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Bourns Inc. | |
계열 | SDE1006A | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | 권선 | |
소재 - 코어 | 페라이트 | |
유도 용량 | 2.2µH | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전류 | 6A | |
전류 - 포화 | 6.6A | |
차폐 | 비차폐 | |
DC 저항(DCR) | 21m옴최대 | |
Q @ 주파수 | - | |
주파수 - 자기 공진 | 57.7MHz | |
등급 | AEC-Q200 | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
주파수 - 테스트 | 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 비표준 | |
크기/치수 | 0.394" L x 0.354" W(10.00mm x 9.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.228"(5.80mm) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SDE1006A-2R2M-ND SDE1006A-2R2MTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SDE1006A-2R2M | |
관련 링크 | SDE1006, SDE1006A-2R2M 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 |
![]() | UPW2A180MEH | 18µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPW2A180MEH.pdf | |
![]() | C1210C223J2GACAUTO | 0.022µF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C223J2GACAUTO.pdf | |
1N4938-1 | DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35 | 1N4938-1.pdf | ||
![]() | 2SB1258 | TRANS PNP DARL 100V 6A TO220F | 2SB1258.pdf | |
![]() | 8006I07Y11 | 8006I07Y11 N/A MSOP10 | 8006I07Y11.pdf | |
![]() | TC7WU04FK(TE85L.F) | TC7WU04FK(TE85L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7WU04FK(TE85L.F).pdf | |
![]() | NM2200C-A-ES08 | NM2200C-A-ES08 NEOMAGIC BGA | NM2200C-A-ES08.pdf | |
![]() | A1-513A-5 | A1-513A-5 ORIGINAL DIP | A1-513A-5.pdf | |
![]() | 04023J2R2CBWTR | 04023J2R2CBWTR ORIGINAL SMD or Through Hole | 04023J2R2CBWTR.pdf | |
![]() | HA2-2525B0850-531 | HA2-2525B0850-531 HAR TO-99 | HA2-2525B0850-531.pdf | |
![]() | HD64F2147NTE10T0 | HD64F2147NTE10T0 HITACHI QFP | HD64F2147NTE10T0.pdf | |
![]() | 40B120U(40N120) | 40B120U(40N120) IR TO-3P | 40B120U(40N120).pdf |