창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SD303R08S10PV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SD303R08S10PV | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SD303R08S10PV | |
| 관련 링크 | SD303R0, SD303R08S10PV 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F52012ALR | 52MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52012ALR.pdf | |
![]() | R7002004XXUA | DIODE GEN PURP 2KV 450A DO200 | R7002004XXUA.pdf | |
![]() | LQW15CNR56K10D | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 710 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15CNR56K10D.pdf | |
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![]() | MCP6G03-E/SN | MCP6G03-E/SN MICROCHIP SOIC-8 | MCP6G03-E/SN.pdf | |
![]() | XS-TG-36W | XS-TG-36W ORIGINAL SMD or Through Hole | XS-TG-36W.pdf | |
![]() | GS1531CBE2 | GS1531CBE2 GENNUM SMD or Through Hole | GS1531CBE2.pdf | |
![]() | 3913480 | 3913480 MURR SMD or Through Hole | 3913480.pdf | |
![]() | S82S185I-883B | S82S185I-883B S DIP18 | S82S185I-883B.pdf |