창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SCT20N120 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SCT20N120 Power Management Guide Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver | |
| 제품 교육 모듈 | Silicon Carbide MOSFET | |
| 주요제품 | SCT20N120 and SCT30N120 Silicon-Carbide Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 10A, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(20V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 175W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | HiP247™ | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-15170 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SCT20N120 | |
| 관련 링크 | SCT20, SCT20N120 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | PHP00805E95R3BBT1 | RES SMD 95.3 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E95R3BBT1.pdf | |
![]() | 3SH-2000-1T | 3SH-2000-1T FREE SMD or Through Hole | 3SH-2000-1T.pdf | |
![]() | T356D336K003AS | T356D336K003AS KEMET DIP | T356D336K003AS.pdf | |
![]() | L397 | L397 ST TO-220 | L397.pdf | |
![]() | M28W160BT90GB6 | M28W160BT90GB6 ST BGA46 | M28W160BT90GB6.pdf | |
![]() | A3=CF | A3=CF RICHTEK QFN | A3=CF.pdf | |
![]() | LTC052HVIGN | LTC052HVIGN LINEAR SS0P | LTC052HVIGN.pdf | |
![]() | SP8414 | SP8414 DIT CAN | SP8414.pdf |