창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SCS208AJTLL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Schottky Barrier Diode Part No. Explanation SCS208AJ | |
| 제품 교육 모듈 | Silicon Carbide Diode | |
| 주요제품 | 1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 실리콘 카바이드 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 650V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.55V @ 8A | |
| 속도 | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 0ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 160µA @ 600V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 291pF @ 1V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 작동 온도 - 접합 | 175°C(최대) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SCS208AJTLLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SCS208AJTLL | |
| 관련 링크 | SCS208, SCS208AJTLL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | RPE5C2A820J2M2Z03A | 82pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPE5C2A820J2M2Z03A.pdf | |
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![]() | ST1819 | ST1819 S.M.ELEC SMD or Through Hole | ST1819.pdf | |
![]() | GS8160E36T-150 | GS8160E36T-150 GSI SMD or Through Hole | GS8160E36T-150.pdf | |
![]() | 400716924 | 400716924 LUCENT/VISHAY SMD or Through Hole | 400716924.pdf | |
![]() | C7162 | C7162 OKI SSOP | C7162.pdf | |
![]() | KM4132G71BQ-10 | KM4132G71BQ-10 SEC QFP | KM4132G71BQ-10.pdf | |
![]() | C4532JB1H155KT000N | C4532JB1H155KT000N TDK SMD | C4532JB1H155KT000N.pdf | |
![]() | HYB18H25632AFL16 (DRAM) | HYB18H25632AFL16 (DRAM) Hynix SMD or Through Hole | HYB18H25632AFL16 (DRAM).pdf | |
![]() | KTB1124-A-RTF/P | KTB1124-A-RTF/P KEC SOT89 | KTB1124-A-RTF/P.pdf |