창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SCH2080KEC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SCH2080KE | |
애플리케이션 노트 | SiC Power Devices and Modules | |
비디오 파일 | ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology | |
주요제품 | 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs 1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 117m옴 @ 10A, 18V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4.4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 106nC(18V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1850pF @ 800V | |
전력 - 최대 | 262W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 360 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SCH2080KEC | |
관련 링크 | SCH208, SCH2080KEC 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D111KXPAR | 110pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111KXPAR.pdf | |
![]() | Y1626680R000F9W | RES SMD 680 OHM 1% 0.3W 1506 | Y1626680R000F9W.pdf | |
![]() | B69614G530B620 | B69614G530B620 EPCOS SMD or Through Hole | B69614G530B620.pdf | |
![]() | 100275660 | 100275660 SMOOTH TQFP | 100275660.pdf | |
![]() | 400TXW68M12.5X40 | 400TXW68M12.5X40 RUBYCON DIP | 400TXW68M12.5X40.pdf | |
![]() | ADG719BRTZREEL7 | ADG719BRTZREEL7 AD SMD or Through Hole | ADG719BRTZREEL7.pdf | |
![]() | M9060 | M9060 MOTO SMD or Through Hole | M9060.pdf | |
![]() | T524 | T524 ORIGINAL SMD | T524.pdf | |
![]() | BCM4712KPB P11 | BCM4712KPB P11 BROADCOM BGA | BCM4712KPB P11.pdf | |
![]() | WMA50A3R | WMA50A3R Wantcom SMD or Through Hole | WMA50A3R.pdf | |
![]() | SES5VSC705L | SES5VSC705L SEMITEL SOT-23-5 | SES5VSC705L.pdf |