창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SCD03021T-4R7MS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SCD03021T-4R7MS | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SCD03021T-4R7MS | |
| 관련 링크 | SCD03021T, SCD03021T-4R7MS 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B32912A3333K | 0.033µF Film Capacitor 330V 760V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm) | B32912A3333K.pdf | |
![]() | 38FD3740-F | 40µF Film Capacitor 370V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 3.656" L x 1.969" W (92.81mm x 50.01mm), Lip | 38FD3740-F.pdf | |
![]() | 416F38023CDT | 38MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38023CDT.pdf | |
| SIHP7N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB | SIHP7N60E-GE3.pdf | ||
![]() | ERJ-1GEF7502C | RES SMD 75K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF7502C.pdf | |
![]() | B39941B7705B610 | B39941B7705B610 epcos SMD or Through Hole | B39941B7705B610.pdf | |
![]() | 251MLA100 | 251MLA100 FUJI SMD or Through Hole | 251MLA100.pdf | |
![]() | 130TM140K | 130TM140K IR SMD or Through Hole | 130TM140K.pdf | |
![]() | UCC3833J | UCC3833J TI CDIP8 | UCC3833J.pdf | |
![]() | AC6-02HFF-00-01 | AC6-02HFF-00-01 Cosel SMD or Through Hole | AC6-02HFF-00-01.pdf | |
![]() | GE28F320C3TD | GE28F320C3TD INTEL BGA | GE28F320C3TD.pdf | |
![]() | LS367-B | LS367-B ORIGINAL DIP16 | LS367-B.pdf |