창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SBR8U20SP5-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SBR8U20SP5 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound/Solder Update 09/Jan/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | SBR® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 510mV @ 8A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerDI™ 5 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI™ 5 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SBR8U20SP5-13DITR SBR8U20SP513 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SBR8U20SP5-13 | |
| 관련 링크 | SBR8U20, SBR8U20SP5-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 8532R-13L | 10µH Unshielded Inductor 3.27A 33 mOhm Max Nonstandard | 8532R-13L.pdf | |
![]() | CBY160808A101T | CBY160808A101T Fenghua SMD | CBY160808A101T.pdf | |
![]() | PMBTA64 | PMBTA64 NXP SOT23 | PMBTA64.pdf | |
![]() | 8055/50/N | 8055/50/N pada SMD or Through Hole | 8055/50/N.pdf | |
![]() | IMB8 | IMB8 ROHM SOT-163 | IMB8.pdf | |
![]() | MCR03EZHF6980 | MCR03EZHF6980 ROHM SMD or Through Hole | MCR03EZHF6980.pdf | |
![]() | 2SA1245(TE85L,F) | 2SA1245(TE85L,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SA1245(TE85L,F).pdf | |
![]() | PTZTE255.6A 5.6V | PTZTE255.6A 5.6V ROHM DO214 | PTZTE255.6A 5.6V.pdf | |
![]() | ISL9003AIEMZ-T/3 | ISL9003AIEMZ-T/3 intersil SC70-5 | ISL9003AIEMZ-T/3.pdf | |
![]() | SL3860 | SL3860 SL SOP8 | SL3860.pdf | |
![]() | MAX4411EBE-T | MAX4411EBE-T MAXIM UCSP16 | MAX4411EBE-T.pdf | |
![]() | WP90533L1. | WP90533L1. TI SOP-14 | WP90533L1..pdf |