창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBR8E60P5-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1,500 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | SBR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 530mV @ 8A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 580µA @ 60V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerDI™ 5 | |
공급 장치 패키지 | PowerDI®5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBR8E60P5-7 | |
관련 링크 | SBR8E6, SBR8E60P5-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | NTJD4105CT2G | MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 | NTJD4105CT2G.pdf | |
![]() | NTTFS4H05NTWG | MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL | NTTFS4H05NTWG.pdf | |
![]() | CMF55820R00FKEA | RES 820 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55820R00FKEA.pdf | |
![]() | DDR400 512MB | DDR400 512MB Generic Tray | DDR400 512MB.pdf | |
![]() | IDTQS3389Q | IDTQS3389Q IDT SMD or Through Hole | IDTQS3389Q.pdf | |
![]() | UPD867D | UPD867D NEC CDIP | UPD867D.pdf | |
![]() | 2S113UK | 2S113UK BB DIP | 2S113UK.pdf | |
![]() | P080PH02DG0 | P080PH02DG0 WESTCODE Module | P080PH02DG0.pdf | |
![]() | RH5VA20AA-T1 | RH5VA20AA-T1 RICOH SOT-89 | RH5VA20AA-T1.pdf | |
![]() | T835-700TR | T835-700TR ST TO-252 | T835-700TR.pdf | |
![]() | TL22DFAW015F-RO | TL22DFAW015F-RO ORIGINAL SMD or Through Hole | TL22DFAW015F-RO.pdf | |
![]() | NMC0402X5R105K6.3TR- | NMC0402X5R105K6.3TR- NIPPON SMD | NMC0402X5R105K6.3TR-.pdf |