창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBR3U30P1-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SBR3U30P1 | |
제품 교육 모듈 | Super Barrier Rectifier (SBR®) | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1588 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | SBR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 430mV @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 400µA @ 30V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | POWERDI®123 | |
공급 장치 패키지 | PowerDI™ 123 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SBR3U30P17 SBR3U30P1DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBR3U30P1-7 | |
관련 링크 | SBR3U3, SBR3U30P1-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | DZ2703900L | DIODE ZENER 3.91V 120MW SSSMINI2 | DZ2703900L.pdf | |
![]() | LGB480GK | LGB480GK SIEMENS ORIGINAL | LGB480GK.pdf | |
![]() | BIR-BM18E4G-2-LBA-TBS23.3A | BIR-BM18E4G-2-LBA-TBS23.3A BRIGHT ROHS | BIR-BM18E4G-2-LBA-TBS23.3A.pdf | |
![]() | 0603CG271J9B200 | 0603CG271J9B200 PHI SMD or Through Hole | 0603CG271J9B200.pdf | |
![]() | MAX6068AEUR+T | MAX6068AEUR+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6068AEUR+T.pdf | |
![]() | ST2120P | ST2120P SEMICON SMD or Through Hole | ST2120P.pdf | |
![]() | RD12Z5U681K4C91LA | RD12Z5U681K4C91LA ACAP SMD or Through Hole | RD12Z5U681K4C91LA.pdf | |
![]() | B5C | B5C Infineon SOT0402 | B5C.pdf | |
![]() | PIC16F1827-I/P | PIC16F1827-I/P MICROCHIP DIP | PIC16F1827-I/P.pdf | |
![]() | 41612-64-AB-FS | 41612-64-AB-FS NeltronIndustrial SMD or Through Hole | 41612-64-AB-FS.pdf | |
![]() | SLI-560YT3FXM | SLI-560YT3FXM ROHM SMD LED | SLI-560YT3FXM.pdf | |
![]() | CSA1C155MTR | CSA1C155MTR ORIGINAL A | CSA1C155MTR.pdf |