창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SBR20A200CTB-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SBR20A200CTB | |
| 제품 교육 모듈 | Super Barrier Rectifier (SBR®) | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 주요제품 | Super Barrier Rectifiers | |
| PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1588 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | SBR® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 10A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 960mV @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 30ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SBR20A200CTB13 SBR20A200CTBDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SBR20A200CTB-13 | |
| 관련 링크 | SBR20A200, SBR20A200CTB-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | AC82Q45-QV51ES | AC82Q45-QV51ES INTEL BGA | AC82Q45-QV51ES.pdf | |
![]() | A6618EEP | A6618EEP ALLEGAO PLCC | A6618EEP.pdf | |
![]() | 0603 NPO 332 J 160NT | 0603 NPO 332 J 160NT TASUND SMD or Through Hole | 0603 NPO 332 J 160NT.pdf | |
![]() | A3955SLB | A3955SLB ORIGINAL SOP16 | A3955SLB .pdf | |
![]() | TA1905-03 | TA1905-03 BingZi DIP | TA1905-03.pdf | |
![]() | 664-A-2001F | 664-A-2001F BITECHNOLOGIES SMD or Through Hole | 664-A-2001F.pdf | |
![]() | CD4541CN | CD4541CN FSC DIP | CD4541CN.pdf | |
![]() | MP6304 | MP6304 M-PULSE SMD or Through Hole | MP6304.pdf | |
![]() | LM34910BSDX | LM34910BSDX NSC LLP | LM34910BSDX.pdf | |
![]() | RG1H686M0811MBB180 | RG1H686M0811MBB180 SAMWHA SMD or Through Hole | RG1H686M0811MBB180.pdf |