창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SBR20A200CTB-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SBR20A200CTB | |
| 제품 교육 모듈 | Super Barrier Rectifier (SBR®) | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 주요제품 | Super Barrier Rectifiers | |
| PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1588 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | SBR® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 10A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 960mV @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 30ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SBR20A200CTB13 SBR20A200CTBDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SBR20A200CTB-13 | |
| 관련 링크 | SBR20A200, SBR20A200CTB-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 023902.5HXP | FUSE GLASS 2.5A 250VAC 5X20MM | 023902.5HXP.pdf | |
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![]() | TE28F640-J3C120 | TE28F640-J3C120 INTERL TSSOP | TE28F640-J3C120.pdf | |
![]() | RU60200R | RU60200R RUICHIPS TO220 | RU60200R.pdf | |
![]() | TC74VCX74FT(EL | TC74VCX74FT(EL TOS TSSOP | TC74VCX74FT(EL.pdf | |
![]() | HKT75-5FF | HKT75-5FF LAMBDA SMD or Through Hole | HKT75-5FF.pdf |