창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBR10U45SP5-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SBR10U45SP5 | |
제품 교육 모듈 | Super Barrier Rectifier (SBR®) | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound/Solder Update 09/Jan/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1588 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | SBR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 -평균 정류(Io) | 10A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 470mV @ 10A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 300µA @ 45V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerDI™ 5 | |
공급 장치 패키지 | PowerDI™ 5 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SBR10U45SP5-13-ND SBR10U45SP5-13DITR SBR10U45SP513 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBR10U45SP5-13 | |
관련 링크 | SBR10U45, SBR10U45SP5-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
A121M15X7RH5UAA | 120pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A121M15X7RH5UAA.pdf | ||
R6009ENX | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | R6009ENX.pdf | ||
YR1B348KCC | RES 348K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | YR1B348KCC.pdf | ||
835NL-1A-B-C-24V | 835NL-1A-B-C-24V ORIGINAL SMD or Through Hole | 835NL-1A-B-C-24V.pdf | ||
S5295G(TPA2) | S5295G(TPA2) Toshiba SMD or Through Hole | S5295G(TPA2).pdf | ||
NMC27C16BQ250 | NMC27C16BQ250 NS SMD or Through Hole | NMC27C16BQ250.pdf | ||
UPW2G101MR | UPW2G101MR ORIGINAL SMD or Through Hole | UPW2G101MR.pdf | ||
UPC142 | UPC142 NEC SOP | UPC142.pdf | ||
AVR-MT128 | AVR-MT128 OlimexLtd SMD or Through Hole | AVR-MT128.pdf | ||
TMP47C202PF124 | TMP47C202PF124 TOS DIP20 | TMP47C202PF124.pdf | ||
SARA-S | SARA-S ORIGINAL QFP | SARA-S.pdf | ||
TH11-4C153FT | TH11-4C153FT MITSUBISHI SMD or Through Hole | TH11-4C153FT.pdf |