창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBR10B45P5-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SBR10B45P5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | SBR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 -평균 정류(Io) | 10A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 550mV @ 10A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 380µA @ 45V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerDI™ 5 | |
공급 장치 패키지 | PowerDI®5 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SBR10B45P5-13DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBR10B45P5-13 | |
관련 링크 | SBR10B4, SBR10B45P5-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 416F37413AAR | 37.4MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37413AAR.pdf | |
![]() | SCMS5D18-1R5 | 1.5µH Shielded Inductor 2.4A 38 mOhm Max Nonstandard | SCMS5D18-1R5.pdf | |
![]() | ERJ-8GEYJ513V | RES SMD 51K OHM 5% 1/4W 1206 | ERJ-8GEYJ513V.pdf | |
![]() | RMCF0402FT220K | RES SMD 220K OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT220K.pdf | |
![]() | CH7006 | CH7006 ORIGINAL SMD or Through Hole | CH7006.pdf | |
![]() | LMV358DT/LM358DR | LMV358DT/LM358DR ST/TI SO-8 | LMV358DT/LM358DR.pdf | |
![]() | LM90LV028ATM | LM90LV028ATM NS SOP | LM90LV028ATM.pdf | |
![]() | PQV035ZA | PQV035ZA SAMSUNG SMD or Through Hole | PQV035ZA.pdf | |
![]() | 2SA1115-T-E | 2SA1115-T-E ORIGINAL TO-92S | 2SA1115-T-E.pdf | |
![]() | SI-8050W | SI-8050W AOI SOP | SI-8050W.pdf | |
![]() | 2SC3583-T1B(R35) | 2SC3583-T1B(R35) NEC SOT23 | 2SC3583-T1B(R35).pdf |