창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SBR10150CTE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SBR10150CTE | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | SBR® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 5A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 250µA @ 150V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SBR10150CTEDI | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SBR10150CTE | |
| 관련 링크 | SBR101, SBR10150CTE 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RR0510P-5902-D | RES SMD 59K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510P-5902-D.pdf | |
![]() | PT0402JR-070R33L | RES SMD 0.33 OHM 5% 1/16W 0402 | PT0402JR-070R33L.pdf | |
![]() | 8392B | 8392B FUJITSU PLCC20 | 8392B.pdf | |
![]() | 06K8536PQ | 06K8536PQ IBM BGA | 06K8536PQ.pdf | |
![]() | AD5201ARM50 | AD5201ARM50 N/A NC | AD5201ARM50.pdf | |
![]() | 65808-053 | 65808-053 RICOH QFP | 65808-053.pdf | |
![]() | EDH8832C-70KMHR | EDH8832C-70KMHR EDI DIP | EDH8832C-70KMHR.pdf | |
![]() | 10ELT22D | 10ELT22D MICREL SMD or Through Hole | 10ELT22D.pdf | |
![]() | 54F828SDMQB/QS | 54F828SDMQB/QS NATIONALSEMICONDUCTOR NSC | 54F828SDMQB/QS.pdf | |
![]() | D470J20C0GF63J5 | D470J20C0GF63J5 ORIGINAL SMD or Through Hole | D470J20C0GF63J5.pdf | |
![]() | NVG10B221M-5V6 | NVG10B221M-5V6 ORIGINAL SMD or Through Hole | NVG10B221M-5V6.pdf |