창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SBN6400G-D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SBN6400G-D | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SBN6400G-D | |
| 관련 링크 | SBN640, SBN6400G-D 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | F339X144733MI02W0 | 0.47µF Film Capacitor 330V 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | F339X144733MI02W0.pdf | |
![]() | 1N6384-E3/51 | TVS DIODE 12VWM 17.1VC 1.5KE | 1N6384-E3/51.pdf | |
![]() | S1DHE3_A/H | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | S1DHE3_A/H.pdf | |
| SI7868ADP-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8 | SI7868ADP-T1-E3.pdf | ||
![]() | 2N4392-2 | MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 | 2N4392-2.pdf | |
![]() | CM9900-684 | 680µH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.1A DCR 115 mOhm | CM9900-684.pdf | |
![]() | ERJ-P6WJ510V | RES SMD 51 OHM 5% 1/2W 0805 | ERJ-P6WJ510V.pdf | |
![]() | TCSA476M006R | TCSA476M006R STTECH SMD | TCSA476M006R.pdf | |
![]() | LT6703HDC-2#TRMPBF | LT6703HDC-2#TRMPBF LINEARTECHNOLOGY NA | LT6703HDC-2#TRMPBF.pdf | |
![]() | MC78LC25HTIG | MC78LC25HTIG ON SOT-89 | MC78LC25HTIG.pdf | |
![]() | 2-643574-5 | 2-643574-5 AMP SMD or Through Hole | 2-643574-5.pdf | |
![]() | 3801-64P | 3801-64P M SMD or Through Hole | 3801-64P.pdf |