창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SBLB8L40HE3/81 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SBL(F,B)8L40 Packaging Information | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 500mV @ 8A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 40V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 125°C | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SBLB8L40HE3/81 | |
| 관련 링크 | SBLB8L40, SBLB8L40HE3/81 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | SLP221M250A3P3 | 220µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 905 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | SLP221M250A3P3.pdf | |
|  | SIT8008BI-22-XXE-16.000000D | OSC XO 16MHZ | SIT8008BI-22-XXE-16.000000D.pdf | |
|  | 1945-22J | 150µH Unshielded Molded Inductor 164mA 5.8 Ohm Max Axial | 1945-22J.pdf | |
|  | LE82GL960 SL | LE82GL960 SL INTEL BGA | LE82GL960 SL.pdf | |
|  | 30703-00621 | 30703-00621 KST SMD | 30703-00621.pdf | |
|  | R1087-13 | R1087-13 ROCKWELL DIP | R1087-13.pdf | |
|  | STD7NM80T4 | STD7NM80T4 ST TO-252 | STD7NM80T4.pdf | |
|  | C6-K1.8L100 | C6-K1.8L100 ORIGINAL SMD or Through Hole | C6-K1.8L100.pdf | |
|  | FAR-F5CH-836M50-L2AW | FAR-F5CH-836M50-L2AW FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-F5CH-836M50-L2AW.pdf | |
|  | SCV | SCV ON SOT23-5 | SCV.pdf | |
|  | 2902I1 | 2902I1 LT SOP | 2902I1.pdf | |
|  | S3C6432XH-53 A1105 | S3C6432XH-53 A1105 SAMSUNG BGA | S3C6432XH-53 A1105.pdf |