창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBG3060CT-T-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SBG3030-60CT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1587 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 30A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 15A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 60V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SBG3060CT-T-FDITR SBG3060CTTF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBG3060CT-T-F | |
관련 링크 | SBG3060, SBG3060CT-T-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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FA22X7R1E106KNU06 | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.295" L x 0.177" W(7.50mm x 4.50mm) | FA22X7R1E106KNU06.pdf | ||
![]() | ELC-09D3R9DF | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 3.1A 16 mOhm Radial | ELC-09D3R9DF.pdf | |
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![]() | M50FW080K5G-ST | M50FW080K5G-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | M50FW080K5G-ST.pdf | |
![]() | 3V9HSA T/B | 3V9HSA T/B ST DO-35 | 3V9HSA T/B.pdf | |
![]() | PV245N15 | PV245N15 FSC/ TO-220 | PV245N15.pdf | |
![]() | GLT2219 | GLT2219 GLT QFN | GLT2219.pdf | |
![]() | D7811H-122 | D7811H-122 NEC DIP | D7811H-122.pdf | |
![]() | NF-410-A3 | NF-410-A3 ORIGINAL SMD or Through Hole | NF-410-A3.pdf | |
![]() | SDR-75-220M | SDR-75-220M ORIGINAL SMD or Through Hole | SDR-75-220M.pdf | |
![]() | STK0100MK2 | STK0100MK2 SANYO SMD or Through Hole | STK0100MK2.pdf |