창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBG3060CT-T-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SBG3030-60CT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1587 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 30A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 15A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 60V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SBG3060CT-T-FDITR SBG3060CTTF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBG3060CT-T-F | |
관련 링크 | SBG3060, SBG3060CT-T-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | DX-5R5L473T | 47mF Supercap 5.5V Axial, Can - Vertical 120 Ohm 1000 Hrs @ 70°C 0.453" Dia (11.50mm) | DX-5R5L473T.pdf | |
![]() | 0805CD331KTF | 0805CD331KTF ORIGINAL 0805-R33K | 0805CD331KTF.pdf | |
![]() | PAW3102DB | PAW3102DB ORIGINAL DIP | PAW3102DB.pdf | |
![]() | VS-21DQ06 | VS-21DQ06 ORIGINAL SMD or Through Hole | VS-21DQ06.pdf | |
![]() | N80C52 8253 | N80C52 8253 ORIGINAL PLCC-44L | N80C52 8253.pdf | |
![]() | R6725-11----RCV144ACF-P. | R6725-11----RCV144ACF-P. ROCKWELL PLCC68 | R6725-11----RCV144ACF-P..pdf | |
![]() | 930-121J-51S | 930-121J-51S AMPHENOL/WSI SMD or Through Hole | 930-121J-51S.pdf | |
![]() | OPA4341UA | OPA4341UA BB SMD or Through Hole | OPA4341UA.pdf | |
![]() | NP1J475M05011PA180 | NP1J475M05011PA180 SAMWHA SMD or Through Hole | NP1J475M05011PA180.pdf | |
![]() | TS32MLD64V6F5 | TS32MLD64V6F5 TRANSCEND SMD or Through Hole | TS32MLD64V6F5.pdf | |
![]() | K6E0808C1C-TC15 | K6E0808C1C-TC15 SAMSUNG TSOP28 | K6E0808C1C-TC15.pdf |