홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » SBC807-25LT3G

ON Semiconductor SBC807-25LT3G

SBC807-25LT3G
제조업체 부품 번호
SBC807-25LT3G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
데이터 시트 다운로드
다운로드
SBC807-25LT3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 57.76055
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SBC807-25LT3G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. SBC807-25LT3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SBC807-25LT3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SBC807-25LT3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SBC807-25LT3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SBC807-25LT3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BC/SBC807-xxL
PCN 설계/사양Pd-Coated Cu Wire Update 23/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)45V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
전력 - 최대300mW
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3(TO-236)
표준 포장 10,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SBC807-25LT3G
관련 링크SBC807-, SBC807-25LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
SBC807-25LT3G 의 관련 제품
1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) 2225HC102MAJ1A.pdf
2.2µH Unshielded Molded Inductor 5.22A 13 mOhm Max Axial 2474-05L.pdf
2.7µH Unshielded Inductor 290mA 1.15 Ohm Max 2-SMD 103-272G.pdf
8003-2 CHINA SMD or Through Hole 8003-2.pdf
2SC2619FB1-06TR HITACHI SOT-23 2SC2619FB1-06TR.pdf
1049-Y KEC SMD or Through Hole 1049-Y.pdf
CM50TU-24H ORIGINAL SMD or Through Hole CM50TU-24H.pdf
SGHI2012H8N2JT CN O805 SGHI2012H8N2JT.pdf
SM290A LRC SMA SM290A.pdf
SOP8 33078 ON SMD or Through Hole SOP8 33078.pdf
LYM670-H2 OSRAM SMD LYM670-H2.pdf
K104Z15Y5VF5.H5 VISHAYll-CAP SMD or Through Hole K104Z15Y5VF5.H5.pdf