창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SBAS40-04LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAS/SBAS40-04LT1G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 직렬 연결 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 40mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 25V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SBAS40-04LT1G | |
| 관련 링크 | SBAS40-, SBAS40-04LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1812A471KBFAT4X | 470pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A471KBFAT4X.pdf | |
![]() | B57464S209M000 | ICL 2 OHM 20% 13.5A 26MM | B57464S209M000.pdf | |
![]() | MLZ2012N100LT000 | 10µH Shielded Multilayer Inductor 500mA 390 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLZ2012N100LT000.pdf | |
![]() | CA51507R500JE05 | RES 7.5 OHM 7.5W 5% AXIAL | CA51507R500JE05.pdf | |
![]() | 20926410602 | RFID Tag Read/Write 512b (EPC) Memory 860MHz ~ 960MHz EPC Encapsulated | 20926410602.pdf | |
![]() | G6B-1174P-FD-12V | G6B-1174P-FD-12V OMRON DIP | G6B-1174P-FD-12V.pdf | |
![]() | HZK2BTR-E 2.0V | HZK2BTR-E 2.0V RENESAS LL34 | HZK2BTR-E 2.0V.pdf | |
![]() | 742C083152J | 742C083152J CTS ORIGINAL | 742C083152J.pdf | |
![]() | 333-2SUGC-H3-S400-A5 | 333-2SUGC-H3-S400-A5 EVERLIGHT DIP | 333-2SUGC-H3-S400-A5.pdf |