창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBAS116LT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAS/SBAS116LT1G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 75V | |
전류 -평균 정류(Io) | 200mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 3µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5nA @ 75V | |
정전 용량 @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SBAS116LT1G-ND SBAS116LT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBAS116LT1G | |
관련 링크 | SBAS11, SBAS116LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C911U620JZSDCAWL35 | 62pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U620JZSDCAWL35.pdf | |
![]() | SIT8918AE-22-18S-66.660000D | OSC XO 1.8V 66.66MHZ ST | SIT8918AE-22-18S-66.660000D.pdf | |
![]() | RT2512BKE072K37L | RES SMD 2.37K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE072K37L.pdf | |
![]() | TIBPAL16R8-12MJB | TIBPAL16R8-12MJB Lattice DIP | TIBPAL16R8-12MJB.pdf | |
![]() | 636FY-4R7M | 636FY-4R7M TOKO SMD or Through Hole | 636FY-4R7M.pdf | |
![]() | RS3K/7T | RS3K/7T NEC DO214AC | RS3K/7T.pdf | |
![]() | 88913-101 | 88913-101 BERG SMD or Through Hole | 88913-101.pdf | |
![]() | LTC6405CUD#PBF/IUD | LTC6405CUD#PBF/IUD LT SMD or Through Hole | LTC6405CUD#PBF/IUD.pdf | |
![]() | E/NS35N | E/NS35N ORIGINAL SMD or Through Hole | E/NS35N.pdf | |
![]() | TXS2SA-H-3V | TXS2SA-H-3V NAIS SMD or Through Hole | TXS2SA-H-3V.pdf | |
![]() | UPD6604GS-402 | UPD6604GS-402 NEC SOP | UPD6604GS-402.pdf |