창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SB830-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SB830-E | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DO-201AD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SB830-E | |
| 관련 링크 | SB83, SB830-E 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | K102K20C0GH5UL2 | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K102K20C0GH5UL2.pdf | |
![]() | 08051K120GBTTR | 12pF Thin Film Capacitor 100V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08051K120GBTTR.pdf | |
![]() | 445A22E12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A22E12M00000.pdf | |
![]() | 4P049F35IET | 4.9152MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P049F35IET.pdf | |
![]() | DSC1001CE1-024.0000T | 24MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CE1-024.0000T.pdf | |
![]() | 8FX-0185 | 8FX-0185 TOYOCOM SOT | 8FX-0185.pdf | |
![]() | Z8018216ASCZ182ZIP | Z8018216ASCZ182ZIP zilog SMD or Through Hole | Z8018216ASCZ182ZIP.pdf | |
![]() | ECKW3D221KBP | ECKW3D221KBP ORIGINAL DE0817 | ECKW3D221KBP.pdf | |
![]() | S80188XL12 | S80188XL12 ORIGINAL QFP | S80188XL12.pdf | |
![]() | CFP5520-0101R | CFP5520-0101R SMK SMD | CFP5520-0101R.pdf | |
![]() | UF5404-28A-M8-LF | UF5404-28A-M8-LF ORIGINAL FORMING | UF5404-28A-M8-LF.pdf | |
![]() | MAX1161ACWI | MAX1161ACWI MAXIM SMD or Through Hole | MAX1161ACWI.pdf |