창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-S6D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | S6B~S6JR DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 6A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 6A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-4 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | S6DGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | S6D | |
| 관련 링크 | S, S6D 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TB-16.0972MBD-T | 16.0972MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TB-16.0972MBD-T.pdf | |
![]() | PMEG2015EPK,315 | DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A 2DFN | PMEG2015EPK,315.pdf | |
![]() | ERJ-S03F3481V | RES SMD 3.48K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F3481V.pdf | |
![]() | CMF603K4000BHEB | RES 3.4K OHM 1W .1% AXIAL | CMF603K4000BHEB.pdf | |
![]() | 1PS79SB10/DG | 1PS79SB10/DG NXP SOD523 | 1PS79SB10/DG.pdf | |
![]() | CTV322S V1.2 #T | CTV322S V1.2 #T ORIGINAL IC | CTV322S V1.2 #T.pdf | |
![]() | MCAAG | MCAAG N/A QFN6 | MCAAG.pdf | |
![]() | 2SA815-Y | 2SA815-Y ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SA815-Y.pdf | |
![]() | MLB-453215-0120A-N1 | MLB-453215-0120A-N1 ORIGINAL SMD or Through Hole | MLB-453215-0120A-N1.pdf | |
![]() | TRCD74HCTT299M | TRCD74HCTT299M ORIGINAL SMD or Through Hole | TRCD74HCTT299M.pdf | |
![]() | PHE830M 154/275v | PHE830M 154/275v EVOXRIFA 22mm | PHE830M 154/275v.pdf | |
![]() | M707C | M707C MITSUMI TSSOP16 | M707C.pdf |