창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-S40JR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | S40B~S40JR DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준, 역극성 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 -평균 정류(Io) | 40A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 40A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 190°C | |
표준 포장 | 5 | |
다른 이름 | S40JRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | S40JR | |
관련 링크 | S40, S40JR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 1808CC333KATRE | 0.033µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808CC333KATRE.pdf | |
![]() | HFE331MBFEF0KR | 330pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | HFE331MBFEF0KR.pdf | |
![]() | D181G39C0GH65J5R | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | D181G39C0GH65J5R.pdf | |
![]() | T495X685K035ATE300 | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T495X685K035ATE300.pdf | |
![]() | DSC1001BI2-014.7456T | 14.7456MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001BI2-014.7456T.pdf | |
![]() | FVXO-HC73BR-64 | 64MHz HCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FVXO-HC73BR-64.pdf | |
![]() | CMF55R10000GNR6 | RES 0.1 OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF55R10000GNR6.pdf | |
![]() | LUC4AS01BC9DB | LUC4AS01BC9DB AGERE SMD or Through Hole | LUC4AS01BC9DB.pdf | |
![]() | TLC75452B | TLC75452B TI SOP-8 | TLC75452B.pdf | |
![]() | TLP631(GB) | TLP631(GB) TOSHIBA DIP | TLP631(GB).pdf | |
![]() | ABM9-106-13.560MHZ-T | ABM9-106-13.560MHZ-T abracon SMD or Through Hole | ABM9-106-13.560MHZ-T.pdf |