창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-S3MB-TP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | S3(A-M)B | |
제품 교육 모듈 | Diode Handling and Mounting | |
PCN 설계/사양 | Auto-Soldering Process 01/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1620 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Micro Commercial Co | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1000V(1kV) | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.15V @ 3A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1000V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | DO-214AA(SMB) | |
작동 온도 - 접합 | - | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | S3MB-TPMSTR S3MBTP | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | S3MB-TP | |
관련 링크 | S3MB, S3MB-TP 데이터 시트, Micro Commercial Co 에이전트 유통 |
RT0402BRD0711K7L | RES SMD 11.5KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRD0711K7L.pdf | ||
CRCW06037M50FKEB | RES SMD 7.5M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06037M50FKEB.pdf | ||
Y175050K0000S0L | RES 50K OHM 3/4W 0.001% AXIAL | Y175050K0000S0L.pdf | ||
B72520T0040M062 | B72520T0040M062 EPCOS 12064V | B72520T0040M062.pdf | ||
OTI975BAT07 | OTI975BAT07 ORIGINAL QFP | OTI975BAT07.pdf | ||
WP5001L12 | WP5001L12 IR D61-8 | WP5001L12.pdf | ||
DST512 | DST512 SIGNAL SMD or Through Hole | DST512.pdf | ||
0678-1250-02 | 0678-1250-02 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0678-1250-02.pdf | ||
1988-02-01 | 32174 COM PLCC-84 | 1988-02-01.pdf | ||
HYS72T128020EP3SB2 | HYS72T128020EP3SB2 QIMONDA SMD or Through Hole | HYS72T128020EP3SB2.pdf | ||
TC1313-1P0EUN | TC1313-1P0EUN MICROCHIP SMD or Through Hole | TC1313-1P0EUN.pdf | ||
M378B2873FH0-CH9 (DDR3/1G/1333/Long-DIMM | M378B2873FH0-CH9 (DDR3/1G/1333/Long-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M378B2873FH0-CH9 (DDR3/1G/1333/Long-DIMM.pdf |