창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-S3G-E3/9AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | S3A thru S3M | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.15V @ 2.5A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 2.5µs | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 400V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AB,(SMC) | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 3,500 | |
| 다른 이름 | S3G-E3/9AT-ND S3GE39AT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | S3G-E3/9AT | |
| 관련 링크 | S3G-E3, S3G-E3/9AT 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW12184K32FKTK | RES SMD 4.32K OHM 1% 1W 1218 | CRCW12184K32FKTK.pdf | |
![]() | CMF55499R00DHEA | RES 499 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55499R00DHEA.pdf | |
![]() | CHL8228G-02CRT | CHL8228G-02CRT CHIL SMD or Through Hole | CHL8228G-02CRT.pdf | |
![]() | CBC2016T101K-K | CBC2016T101K-K KEMET SMD or Through Hole | CBC2016T101K-K.pdf | |
![]() | AQW213S | AQW213S NAIS DIPSOP | AQW213S.pdf | |
![]() | SD2E105M6L011PA190 | SD2E105M6L011PA190 SAMWHA SMD or Through Hole | SD2E105M6L011PA190.pdf | |
![]() | ADS8505IB | ADS8505IB TI SOIC-28 | ADS8505IB.pdf | |
![]() | AIC-8120 | AIC-8120 AIC BGA | AIC-8120.pdf | |
![]() | 2.3-2.7G | 2.3-2.7G mco SMD | 2.3-2.7G.pdf | |
![]() | WB605 | WB605 ORIGINAL SMD or Through Hole | WB605.pdf | |
![]() | Si3480-A01-GM | Si3480-A01-GM SILICON QFN | Si3480-A01-GM.pdf | |
![]() | J2211PB8 | J2211PB8 ORIGINAL BGA | J2211PB8.pdf |