- S1N5551US
- 제조업체 부품 번호
- S1N5551US
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 2
- 간단한 설명
- S1N5551US MICROSEMI SMD
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
S1N5551US 가격 및 조달
가능 수량
52470 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 S1N5551US 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. S1N5551US 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. S1N5551US가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- S1N5551US 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
S1N5551US 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-S1N5551US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | S1N5551US | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | S1N5551US | |
| 관련 링크 | S1N55, S1N5551US 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
S1N5551US 의 관련 제품
| STB6N65K3 | MOSFET N-CH 650V D2PAK | STB6N65K3.pdf | |
| 7012PJT | RELAY TIME DELAY | 7012PJT.pdf | |
 | CMF559K7600CHEB | RES 9.76K OHM 1/2W .25% AXIAL | CMF559K7600CHEB.pdf | |
| 9322-1D/883B | 9322-1D/883B ITT CDIP | 9322-1D/883B.pdf | |
| DS50PCI402SQ+ | DS50PCI402SQ+ NSC SMDDIP | DS50PCI402SQ+.pdf | |
| EL5167IWZ | EL5167IWZ INTERSIL SOT23-5 | EL5167IWZ.pdf | |
| CRB3A4E330JT | CRB3A4E330JT AVX SMD | CRB3A4E330JT.pdf | |
| SMA-0207-50-5K36-1％-A2 | SMA-0207-50-5K36-1％-A2 DRALORIC SMD or Through Hole | SMA-0207-50-5K36-1％-A2.pdf | |
| MB87F2480 | MB87F2480 FUJITSU BGA | MB87F2480.pdf | |
| EKMX351ELL470MJ50S | EKMX351ELL470MJ50S NIPPON SMD or Through Hole | EKMX351ELL470MJ50S.pdf | |
| TC120333EHATR | TC120333EHATR MICROCHIP SMD or Through Hole | TC120333EHATR.pdf | |
| 9pF (GRM39 COG 090D 50PT) | 9pF (GRM39 COG 090D 50PT) INFNEON SMD or Through Hole | 9pF (GRM39 COG 090D 50PT).pdf |