창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-S1JFP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | S1(J,K,M)FP | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1.2A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 1.2A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 1.5µs | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 600V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 18pF @ 0V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123H | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123HE | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | S1JFPTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | S1JFP | |
| 관련 링크 | S1J, S1JFP 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SMDJ9.0A | TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AB | SMDJ9.0A.pdf | |
![]() | 8Z-30.000MAAV-T | 30MHz ±30ppm 수정 8pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z-30.000MAAV-T.pdf | |
![]() | CRCW080576R8FKEAHP | RES SMD 76.8 OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW080576R8FKEAHP.pdf | |
![]() | IS61WV12816BLL-12TLI | IS61WV12816BLL-12TLI ISSI SMD or Through Hole | IS61WV12816BLL-12TLI.pdf | |
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![]() | T4B336K10AS4659 | T4B336K10AS4659 LKEMET SMD or Through Hole | T4B336K10AS4659.pdf | |
![]() | PHOTO FLASH | PHOTO FLASH ORIGINAL SMD or Through Hole | PHOTO FLASH.pdf | |
![]() | S3C8249X86-TWR9 | S3C8249X86-TWR9 ORIGINAL TQFP | S3C8249X86-TWR9.pdf | |
![]() | T518A-2 | T518A-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | T518A-2.pdf | |
![]() | RH80532GC029512S L6V6 | RH80532GC029512S L6V6 INTEL SMD or Through Hole | RH80532GC029512S L6V6.pdf | |
![]() | MM | MM MIC MLF-10 | MM.pdf | |
![]() | STK470-050E | STK470-050E SANYO SMD or Through Hole | STK470-050E.pdf |