창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-S1GB-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | S1A/B - S1M/B | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 1A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 3µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 400V | |
정전 용량 @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMB | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1N4004W 1N4004WDI 1N4004WDITR S1GB S1GBDITR S1GBT S1GBTR S1GBTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | S1GB-13 | |
관련 링크 | S1GB, S1GB-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | B82496C3479Z | 4.7nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | B82496C3479Z.pdf | |
![]() | AMS22U5A1BHARL326 | ROTARY NON-CONTACT ANALOG SENSOR | AMS22U5A1BHARL326.pdf | |
![]() | NHQMM103B375R5 | NHQMM103B375R5 GESensing SMD | NHQMM103B375R5.pdf | |
![]() | T2C-YVG | T2C-YVG CIKACHI SMD or Through Hole | T2C-YVG.pdf | |
![]() | LSI53C895-609-0393396 | LSI53C895-609-0393396 LSI QFP | LSI53C895-609-0393396.pdf | |
![]() | 2SC2480-T | 2SC2480-T PANASONI SMD or Through Hole | 2SC2480-T.pdf | |
![]() | CY8C21534-12PVXE | CY8C21534-12PVXE CY TSOP | CY8C21534-12PVXE.pdf | |
![]() | MIC4744YTSE TR | MIC4744YTSE TR Micrel Reel | MIC4744YTSE TR.pdf | |
![]() | SCD0501T-330N-N | SCD0501T-330N-N NULL SMD or Through Hole | SCD0501T-330N-N.pdf | |
![]() | PM741J/883 | PM741J/883 PMI CAN | PM741J/883.pdf | |
![]() | QS54FCT138CTSO | QS54FCT138CTSO QualitySemiconduc SMD or Through Hole | QS54FCT138CTSO.pdf | |
![]() | NE57811SOT756 | NE57811SOT756 SAMSUNG SMD or Through Hole | NE57811SOT756.pdf |