창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-S16G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | S16B~S16JR DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 16A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 16A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | S16GGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | S16G | |
| 관련 링크 | S1, S16G 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 4P100F35IDT | 10MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P100F35IDT.pdf | |
![]() | GRM319B11C105KAA3D | GRM319B11C105KAA3D MURATA 1206-105K | GRM319B11C105KAA3D.pdf | |
![]() | S2EA-TR | S2EA-TR TSC DO-214AC | S2EA-TR.pdf | |
![]() | CDRH65NP-1R2NC | CDRH65NP-1R2NC SUMIDA SMD | CDRH65NP-1R2NC.pdf | |
![]() | HD3556 | HD3556 HIT DIP | HD3556.pdf | |
![]() | UC3737AQ | UC3737AQ TI/UC PLCC20 | UC3737AQ.pdf | |
![]() | SI3446 | SI3446 VISHAY SOT-163 | SI3446.pdf | |
![]() | CD1982 | CD1982 CHIPSHINE SOT23-6 | CD1982.pdf | |
![]() | S4012NH | S4012NH ST TO220AB | S4012NH .pdf | |
![]() | GD82559ER(SL3DG) | GD82559ER(SL3DG) TI QFP | GD82559ER(SL3DG).pdf | |
![]() | TA2127AFN | TA2127AFN TOSHIBA SOP | TA2127AFN.pdf |