창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-S150QR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | S150J~S150QR DO-8 (DO-205AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 150A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 150A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-205AA, DO-8, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-205AA(DO-8) | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 200°C | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 다른 이름 | 1242-1236 S150QRGN S150QRGN-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | S150QR | |
| 관련 링크 | S15, S150QR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | FXO-HC730-66.6666 | 66.6666MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC730-66.6666.pdf | |
![]() | SCR125B-680 | 68µH Shielded Inductor 2.53A 170 mOhm Max Nonstandard | SCR125B-680.pdf | |
![]() | P51-1000-S-M-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - M10 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-S-M-D-4.5OVP-000-000.pdf | |
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![]() | LMV321M7X(A12) | LMV321M7X(A12) NS SOT223 | LMV321M7X(A12).pdf | |
![]() | 10424DDBR | 10424DDBR TI SSOP-24 | 10424DDBR.pdf | |
![]() | M25P32VDP | M25P32VDP ST SOP16 | M25P32VDP.pdf | |
![]() | BT106KC | BT106KC BT DIP | BT106KC.pdf | |
![]() | BT135 | BT135 INFINEON TO-223 | BT135.pdf | |
![]() | MPF89 | MPF89 MOT TO-92L | MPF89.pdf | |
![]() | LTN141P1-L02 | LTN141P1-L02 SAMSUNG SMD or Through Hole | LTN141P1-L02.pdf |